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TVS管结构认知!

作者: admin 来源: 深圳踏歌电子 发布时间:2017-03-06
  TVS管结构
 
  双向击穿二极管在电路中用字母“VD”或“V”表示,图4-41是其外形和内部结构图,图4-42是其电路图形符号,图4-43是其应用电路。
图4-41是其外形和内部结构图

图4-42是其电路图形符号

图4-43是其应用电路
 
  瞬态抑制二级管由特制的P-N半导体结组成,可提供浪涌保护。 PN结通常覆膜,以防在非导电状态下过早出现电压弧闪。 出现瞬态电压时,瞬态抑制二级管开始导电,并通过雪崩效应钳制瞬态电压。 瞬态抑制二极管广泛用作电信、通用电子设备、数码消费电子产品的电路过压保护装置,可提供雷击、静电放电和其他瞬态电压保护。
 
  SPA表示硅保护阵列。 该阵列集成了PN结、SCR或采用多引脚结构封装的其他硅保护结构。 SPA可用于需要多种保护的电信、通用电子设备、数码消费电子产品,提供对静电放电、雷击和EFT的综合保护。 例如,它可用于HDMI、USB和以太网端口的ESD保护。

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